| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 278.02 грн |
| 10+ | 146.26 грн |
| 100+ | 118.80 грн |
| 500+ | 115.31 грн |
| 1000+ | 109.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA08N100D2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Supplier Device Package: TO-263AA, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTA08N100D2 за ціною від 80.59 грн до 287.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTA08N100D2 | Виробник : IXYS |
 Description: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Supplier Device Package: TO-263AA Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V |
на замовлення 5928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IXTA08N100D2 |
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-263 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |