Продукція > IXYS CORPORATION > IXTA08N100D2
IXTA08N100D2

IXTA08N100D2 Ixys Corporation

media.pdf
Виробник: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
52+285.72 грн
61+243.34 грн
63+235.14 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 52 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTA08N100D2 Ixys Corporation

Description: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Supplier Device Package: TO-263AA, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTA08N100D2 за ціною від 117.37 грн до 351.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTA08N100D2 IXTA08N100D2 IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Depletion-Mode-IXT-08N100-Datasheet.PDF MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+299.31 грн
10+157.47 грн
100+127.90 грн
500+124.14 грн
1000+117.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2 IXTA08N100D2 IXYS IXTA(P,Y)08N100D2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO263
On-state resistance: 21Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Gate charge: 325nC
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+321.84 грн
7+138.39 грн
20+130.75 грн
250+125.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2 IXTA08N100D2 Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+333.57 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2 IXTA08N100D2 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=5F3F8653-B9A5-4C21-928A-8F26A664DBDC&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Depletion-Mode-IXT-08N100-Datasheet.PDF Description: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+351.52 грн
10+223.27 грн
50+173.82 грн
100+148.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2 Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Depletion-Mode-IXT-08N100-Datasheet.PDF
IXTA08N100D2
Виробник: IXYS
MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+299.31 грн
10+157.47 грн
100+127.90 грн
500+124.14 грн
1000+117.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2 IXTA(P,Y)08N100D2.pdf
IXTA08N100D2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO263
On-state resistance: 21Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Gate charge: 325nC
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+321.84 грн
7+138.39 грн
20+130.75 грн
250+125.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2 media.pdf
IXTA08N100D2
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+333.57 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2 media?resourcetype=datasheets&itemid=5F3F8653-B9A5-4C21-928A-8F26A664DBDC&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Depletion-Mode-IXT-08N100-Datasheet.PDF
IXTA08N100D2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+351.52 грн
10+223.27 грн
50+173.82 грн
100+148.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.