IXTA08N50D2 IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 800MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 400mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 186.01 грн |
| 50+ | 141.92 грн |
| 100+ | 121.64 грн |
| 500+ | 101.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA08N50D2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 800MA TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 400mA, 0V, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Supplier Device Package: TO-263AA, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTA08N50D2 за ціною від 97.33 грн до 202.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTA08N50D2 | Виробник : IXYS |
MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 800MA |
на замовлення 754 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXTA08N50D2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 0.8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
IXTA08N50D2 Код товару: 118357 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||
 |
IXTA08N50D2 | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO263; 11ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 0.8A Power dissipation: 60W Case: TO263 On-state resistance: 4.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 312nC Kind of package: tube Kind of channel: depleted Reverse recovery time: 11ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IXTA08N50D2 | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO263; 11ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 0.8A Power dissipation: 60W Case: TO263 On-state resistance: 4.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 312nC Kind of package: tube Kind of channel: depleted Reverse recovery time: 11ns |
товар відсутній |