IXTA08N50D2 IXYS
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 800MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 400mA, 0V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 283.81 грн |
| 50+ | 139.01 грн |
| 100+ | 126.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA08N50D2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 800MA TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 400mA, 0V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Supplier Device Package: TO-263AA, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTA08N50D2 за ціною від 111.81 грн до 294.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTA08N50D2 | Виробник : IXYS |
MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 800MA |
на замовлення 576 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXTA08N50D2 Код товару: 118357
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
||||||||||||
| IXTA08N50D2 |
MOSFET N-CH 500V 800MA D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IXTA08N50D2 | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO263; 11ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 0.8A Power dissipation: 60W Case: TO263 On-state resistance: 4.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 312nC Kind of package: tube Kind of channel: depletion Reverse recovery time: 11ns |
товару немає в наявності |