Інші пропозиції IXTA08N50D2 за ціною від 104.37 грн до 320.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXTA08N50D2 | Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 0.8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXTA08N50D2 | Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 0.8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXTA08N50D2 | IXYS |
MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 800MA |
на замовлення 556 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IXTA08N50D2 | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 500V 800MA TO263Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 400mA, 0V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Supplier Device Package: TO-263AA Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V |
на замовлення 447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IXTA08N50D2 |
![]() |
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 500V 0.8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
Trans MOSFET N-CH 500V 0.8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 206.36 грн |
| 100+ | 186.61 грн |
| IXTA08N50D2 |
![]() |
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 500V 0.8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
Trans MOSFET N-CH 500V 0.8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 69+ | 208.37 грн |
| 100+ | 188.42 грн |
| IXTA08N50D2 |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 800MA
MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 800MA
на замовлення 556 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 308.22 грн |
| 10+ | 155.28 грн |
| 100+ | 122.64 грн |
| 500+ | 121.33 грн |
| 1000+ | 104.37 грн |
| IXTA08N50D2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 800MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 400mA, 0V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 800MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 400mA, 0V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 320.03 грн |
| 10+ | 203.00 грн |
| 50+ | 158.01 грн |
| 100+ | 134.69 грн |




