Продукція > IXYS > IXTA100N04T2

IXTA100N04T2 IXYS

Name: IXTA100N04T2
Brand: IXYS
SKU: 141924-4
Price: 466.92 UAH
Availability: InStock

Виробник: IXYS
MOSFET 100 Amps 40V

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	233.46 грн
10+	192.05 грн
100+	141.25 грн
250+	130.95 грн
500+	122.12 грн
1000+	108.88 грн
2500+	103.00 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IXTA100N04T2 IXYS

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO263; 34ns, Mounting: SMD, Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet, Kind of channel: enhancement, Case: TO263, Reverse recovery time: 34ns, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 100A, On-state resistance: 7mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 150W, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, кількість в упаковці: 300 шт.

Інші пропозиції IXTA100N04T2

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
IXTA100N04T2	Виробник : Littelfuse	Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXTA100N04T2	Виробник : IXYS	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO263; 34ns Mounting: SMD Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Kind of channel: enhancement Case: TO263 Reverse recovery time: 34ns Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A On-state resistance: 7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 150W Polarisation: unipolar Kind of package: tube кількість в упаковці: 300 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXTA100N04T2	Виробник : IXYS	Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXTA100N04T2	Виробник : IXYS	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO263; 34ns Mounting: SMD Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Kind of channel: enhancement Case: TO263 Reverse recovery time: 34ns Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A On-state resistance: 7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 150W Polarisation: unipolar Kind of package: tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.