Продукція > IXYS > IXTA100N04T2
IXTA100N04T2

IXTA100N04T2 IXYS


media-3319125.pdf Виробник: IXYS
MOSFET 100 Amps 40V
на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+209.6 грн
10+ 172.43 грн
100+ 126.82 грн
250+ 117.57 грн
500+ 109.64 грн
1000+ 97.76 грн
2500+ 92.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTA100N04T2 IXYS

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO263; 34ns, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 100A, Power dissipation: 150W, Case: TO263, On-state resistance: 7mΩ, Mounting: SMD, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet, Reverse recovery time: 34ns, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції IXTA100N04T2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTA100N04T2 IXTA100N04T2 Виробник : Littelfuse mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_100n04t2_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA100N04T2 IXTA100N04T2 Виробник : IXYS IXTA(P)100N04T2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO263; 34ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 34ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTA100N04T2 IXTA100N04T2 Виробник : IXYS DS99972A(IXTA-TP100N04T2).pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263
товар відсутній
IXTA100N04T2 IXTA100N04T2 Виробник : IXYS IXTA(P)100N04T2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO263; 34ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 34ns
товар відсутній