Технічний опис IXTA10P50P IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA10P50P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 500 V, 10 A, 1 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PolarP, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Інші пропозиції IXTA10P50P за ціною від 254.64 грн до 745.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTA10P50P | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTA10P50P | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA10P50P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 500 V, 10 A, 1 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PolarP productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
на замовлення 294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXTA10P50P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXTA10P50P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXTA10P50P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXTA10P50P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXTA10P50P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IXTA10P50P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IXTA10P50P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET P-CH 500V 10A TO263 Packaging: Tube Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |