Продукція > IXYS > IXTA10P50P
IXTA10P50P

IXTA10P50P IXYS


media-3319144.pdf Виробник: IXYS
MOSFETs -10.0 Amps -500V 1.000 Rds
на замовлення 2970 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+362.76 грн
10+337.62 грн
500+272.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTA10P50P IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA10P50P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 500 V, 10 A, 1 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PolarP, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).

Інші пропозиції IXTA10P50P за ціною від 254.72 грн до 687.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTA10P50P IXTA10P50P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+529.91 грн
29+455.21 грн
50+430.67 грн
100+398.69 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50P IXTA10P50P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+571.13 грн
27+485.90 грн
50+464.50 грн
100+425.74 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50P IXTA10P50P Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_10p50p_datasheet.pdf.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA10P50P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 500 V, 10 A, 1 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+577.34 грн
5+485.03 грн
10+392.72 грн
50+335.35 грн
100+281.79 грн
250+254.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50P IXTA10P50P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+611.92 грн
10+525.84 грн
25+520.61 грн
50+497.68 грн
100+456.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50P IXTA10P50P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+621.26 грн
10+533.86 грн
25+533.68 грн
50+504.91 грн
100+467.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50P IXTA10P50P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+687.83 грн
25+656.08 грн
50+629.67 грн
100+585.78 грн
250+525.56 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50P IXTA10P50P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50P IXTA10P50P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50P IXTA10P50P Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_10p50p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET P-CH 500V 10A TO263
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.