на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 199.98 грн |
| 50+ | 167.51 грн |
| 250+ | 125.80 грн |
| 500+ | 109.62 грн |
| 1000+ | 103.00 грн |
| 2500+ | 102.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA110N055T2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 180W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3060 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTA110N055T2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTA110N055T2 | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 55V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |
|
 |
IXTA110N055T2 | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 180W; TO263; 38ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 110A Power dissipation: 180W Case: TO263 On-state resistance: 6.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 57nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 38ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
 |
IXTA110N055T2 | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3060 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
|
|
IXTA110N055T2 | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 180W; TO263; 38ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 110A Power dissipation: 180W Case: TO263 On-state resistance: 6.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 57nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 38ns |
товару немає в наявності |