Продукція > IXYS > IXTA120N075T2
IXTA120N075T2

IXTA120N075T2 IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BA3439A5B43820&compId=IXTA(P)120N075T2.pdf?ci_sign=a989206584ccedc296376c463764890b543910ce Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 250W; TO263; 50ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: TO263
On-state resistance: 7.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 50ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+251.27 грн
3+210.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTA120N075T2 IXYS

Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4740 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTA120N075T2 за ціною від 189.76 грн до 301.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTA120N075T2 IXTA120N075T2 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BA3439A5B43820&compId=IXTA(P)120N075T2.pdf?ci_sign=a989206584ccedc296376c463764890b543910ce Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 250W; TO263; 50ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: TO263
On-state resistance: 7.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 50ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+301.52 грн
3+261.77 грн
6+200.92 грн
15+189.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120N075T2 IXTA120N075T2 Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_120n075t2_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4740 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120N075T2 IXTA120N075T2 Виробник : IXYS media-3319450.pdf MOSFETs 120 Amps 75V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.