| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 281.78 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA120P065T Littelfuse
Description: LITTELFUSE - IXTA120P065T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 65 V, 120 A, 0.01 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 65V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 298W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-263AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Produktreihe TrenchP, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm.
Інші пропозиції IXTA120P065T за ціною від 242.86 грн до 775.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXTA120P065T | Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXTA120P065T | Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXTA120P065T | Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
на замовлення 258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXTA120P065T | Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXTA120P065T | IXYS |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; TO263 Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -65V Drain current: -120A Power dissipation: 298W Case: TO263 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Gate charge: 185nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 53ns |
на замовлення 264 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IXTA120P065T | IXYS |
Description: MOSFET P-CH 65V 120A TO263Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 298W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXTA120P065T | Ixys Corporation |
Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
на замовлення 277 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXTA120P065T | Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
на замовлення 430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXTA120P065T | Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
на замовлення 430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXTA120P065T | IXYS |
MOSFETs -120 Amps -65V 0.01 Rds |
на замовлення 4798 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IXTA120P065T | LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTA120P065T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 65 V, 120 A, 0.01 ohm, TO-263AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 65V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 298W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-263AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe TrenchP productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm |
на замовлення 280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IXTA120P065T | Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| IXTA120P065T |
![]() |
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 418.87 грн |
| IXTA120P065T |
![]() |
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 34+ | 418.87 грн |
| IXTA120P065T |
![]() |
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 33+ | 431.57 грн |
| 35+ | 413.03 грн |
| 50+ | 397.30 грн |
| 100+ | 370.10 грн |
| 250+ | 332.29 грн |
| IXTA120P065T |
![]() |
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 460.27 грн |
| 100+ | 410.24 грн |
| 250+ | 406.91 грн |
| IXTA120P065T |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 53ns
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 53ns
на замовлення 264 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 482.23 грн |
| 4+ | 297.43 грн |
| 9+ | 281.00 грн |
| 100+ | 280.18 грн |
| IXTA120P065T |
![]() |
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 65V 120A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 65V 120A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 626.61 грн |
| 10+ | 412.47 грн |
| 50+ | 330.93 грн |
| 100+ | 285.94 грн |
| 500+ | 242.86 грн |
| IXTA120P065T |
![]() |
Виробник: Ixys Corporation
Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 22+ | 664.15 грн |
| 50+ | 512.00 грн |
| 100+ | 484.22 грн |
| IXTA120P065T |
![]() |
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 775.20 грн |
| IXTA120P065T |
![]() |
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 19+ | 775.20 грн |
| IXTA120P065T |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFETs -120 Amps -65V 0.01 Rds
MOSFETs -120 Amps -65V 0.01 Rds
на замовлення 4798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IXTA120P065T |
![]() |
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTA120P065T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 65 V, 120 A, 0.01 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 298W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
Description: LITTELFUSE - IXTA120P065T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 65 V, 120 A, 0.01 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 298W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IXTA120P065T |
![]() |
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






