Продукція > LITTELFUSE > IXTA120P065T
IXTA120P065T

IXTA120P065T Littelfuse

media.pdf Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+226.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTA120P065T Littelfuse

Description: LITTELFUSE - IXTA120P065T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 65 V, 120 A, 0.01 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 65V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 298W, Bauform - Transistor: TO-263AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Produktreihe TrenchP, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції IXTA120P065T за ціною від 262.98 грн до 604.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTA120P065T IXTA120P065T Виробник : Littelfuse se_discrete_mosfets_p-channel_ixt_120p065t_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
300+262.98 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065T IXTA120P065T Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+373.26 грн
35+357.23 грн
50+343.62 грн
100+320.10 грн
250+287.40 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065T IXTA120P065T Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0B2A73C5A98BF&compId=IXT_120P065T.pdf?ci_sign=5825eced03e83efccef79458a32fe4ed6d717ef7 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 53ns
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
On-state resistance: 10mΩ
Gate charge: 185nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+440.40 грн
4+283.66 грн
9+268.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065T IXTA120P065T Виробник : IXYS media-3319649.pdf MOSFETs -120 Amps -65V 0.01 Rds
на замовлення 4992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+491.55 грн
10+453.21 грн
50+295.76 грн
100+290.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065T IXTA120P065T Виробник : LITTELFUSE LFSI-S-A0007925045-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXTA120P065T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 65 V, 120 A, 0.01 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+505.73 грн
10+321.60 грн
100+295.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065T IXTA120P065T Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0B2A73C5A98BF&compId=IXT_120P065T.pdf?ci_sign=5825eced03e83efccef79458a32fe4ed6d717ef7 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 53ns
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
On-state resistance: 10mΩ
Gate charge: 185nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 277 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+528.47 грн
4+353.48 грн
9+322.42 грн
500+310.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065T IXTA120P065T Виробник : Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+574.41 грн
50+442.82 грн
100+418.79 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065T IXTA120P065T Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_120p065t_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET P-CH 65V 120A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+604.68 грн
50+314.70 грн
100+288.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065T IXTA120P065T Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065T IXTA120P065T Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.