на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 274.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA120P065T Littelfuse
Description: LITTELFUSE - IXTA120P065T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 65 V, 120 A, 0.01 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 65V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 298W, Bauform - Transistor: TO-263AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Produktreihe TrenchP, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції IXTA120P065T за ціною від 265.12 грн до 604.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXTA120P065T | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
на замовлення 258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTA120P065T | Виробник : IXYS |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; TO263 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Case: TO263 Technology: TrenchP™ Mounting: SMD Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -65V Drain current: -120A Gate charge: 185nC Reverse recovery time: 53ns On-state resistance: 10mΩ Gate-source voltage: ±15V Power dissipation: 298W |
на замовлення 277 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTA120P065T | Виробник : IXYS |
MOSFETs -120 Amps -65V 0.01 Rds |
на замовлення 6605 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTA120P065T | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTA120P065T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 65 V, 120 A, 0.01 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 65V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 298W Bauform - Transistor: TO-263AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe TrenchP productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 91 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTA120P065T | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET P-CH 65V 120A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 298W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IXTA120P065T | Виробник : Ixys Corporation |
Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
на замовлення 277 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IXTA120P065T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
IXTA120P065T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
товару немає в наявності |