IXTA12N50P Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 317.56 грн |
50+ | 186.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA12N50P Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTA12N50P за ціною від 157.79 грн до 340.78 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTA12N50P | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 414 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXTA12N50P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
IXTA12N50P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 200W Case: TO263 Mounting: SMD Kind of package: tube Gate charge: 29nC Technology: Polar™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Reverse recovery time: 300ns Drain-source voltage: 500V Drain current: 12A On-state resistance: 0.5Ω кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
IXTA12N50P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 200W Case: TO263 Mounting: SMD Kind of package: tube Gate charge: 29nC Technology: Polar™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Reverse recovery time: 300ns Drain-source voltage: 500V Drain current: 12A On-state resistance: 0.5Ω |
товару немає в наявності |