на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 297.11 грн |
| 10+ | 268.39 грн |
| 25+ | 226.04 грн |
| 100+ | 215.04 грн |
| 250+ | 197.42 грн |
| 500+ | 182.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA130N10T-TRL IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 360W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTA130N10T-TRL
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IXTA130N10T-TRL | Виробник : IXYS |
 IXTA130N10T-TRL SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||
 |
IXTA130N10T-TRL | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 360W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
|
|
IXTA130N10T-TRL | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 360W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |