Продукція > IXYS > IXTA130N10T7
IXTA130N10T7

IXTA130N10T7 IXYS


Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
на замовлення 350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
300+178.77 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTA130N10T7 IXYS

Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 360W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTA130N10T7

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTA130N10T7 IXTA130N10T7 Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXTA130N10T7_Datasheet.PDF MOSFETs 130 Amps 100V 8.5 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.