Продукція > IXYS > IXTA130N15X4
IXTA130N15X4

IXTA130N15X4 IXYS


media-3323557.pdf
Виробник: IXYS
MOSFETs TO263 150V 130A N-CH X4CLASS
на замовлення 398 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+800.76 грн
50+567.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTA130N15X4 IXYS

Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO263AA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4770 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-263AA, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 400W (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tube, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 65A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc).

Інші пропозиції IXTA130N15X4 за ціною від 403.08 грн до 912.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTA130N15X4 IXTA130N15X4 Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixta130n15x4_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO263AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4770 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 65A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+912.20 грн
50+497.08 грн
100+460.41 грн
500+403.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.