Продукція > IXYS > IXTA140N055T2
IXTA140N055T2

IXTA140N055T2 IXYS

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_140n055t2_datasheet.pdf?assetguid=886c24a8-3d1d-4378-98ef-e3645ff1ea05
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 55V 140A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTA140N055T2 IXYS

Description: MOSFET N-CH 55V 140A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTA140N055T2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTA140N055T2 IXTA140N055T2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXT_140N055T2_Datasheet.PDF MOSFETs TO263 N-CH 55V 140A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA140N055T2 IXTA140N055T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_140n055t2_datasheet.pdf?assetguid=886c24a8-3d1d-4378-98ef-e3645ff1ea05 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 55V; 140A; 250W; D2PAK,TO263; 40ns
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 140A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 82nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 40ns
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA140N055T2 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXT_140N055T2_Datasheet.PDF
IXTA140N055T2
Виробник: IXYS
MOSFETs TO263 N-CH 55V 140A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA140N055T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_140n055t2_datasheet.pdf?assetguid=886c24a8-3d1d-4378-98ef-e3645ff1ea05
IXTA140N055T2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 55V; 140A; 250W; D2PAK,TO263; 40ns
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 140A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 82nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 40ns
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.