IXTA140N12T2 IXYS
Виробник: IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 140A; 577W; TO263; 65ns
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 577W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 174nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 65ns
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 140A
On-state resistance: 10mΩ
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 332.59 грн |
| 3+ | 278.18 грн |
| 4+ | 242.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA140N12T2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 120V 140A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 70A, 10V, Power Dissipation (Max): 577W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTA140N12T2 за ціною від 264.85 грн до 399.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTA140N12T2 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 120V 140A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 577W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 25 V |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IXTA140N12T2 | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 140A; 577W; TO263; 65ns Case: TO263 Mounting: SMD Kind of package: tube Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 577W Polarisation: unipolar Gate charge: 174nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 65ns Drain-source voltage: 120V Drain current: 140A On-state resistance: 10mΩ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTA140N12T2 | Виробник : Littelfuse |
Power MOSFET |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IXTA140N12T2 | Виробник : IXYS |
MOSFETs TO263 120V 140A N-CH TRENCH |
товару немає в наявності |