Технічний опис IXTA15P15T Littelfuse
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -15A; 150W; TO263, Type of transistor: P-MOSFET, Technology: TrenchP™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -150V, Drain current: -15A, Power dissipation: 150W, Case: TO263, Gate-source voltage: ±15V, On-state resistance: 0.24Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 48nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Reverse recovery time: 116ns, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXTA15P15T
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTA15P15T | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -15A; 150W; TO263 Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -150V Drain current: -15A Power dissipation: 150W Case: TO263 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 0.24Ω Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 116ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IXTA15P15T | Виробник : IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
|
IXTA15P15T | Виробник : IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
IXTA15P15T | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -15A; 150W; TO263 Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -150V Drain current: -15A Power dissipation: 150W Case: TO263 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 0.24Ω Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 116ns |
товару немає в наявності |