Продукція > LITTELFUSE INC. > IXTA160N10T7
IXTA160N10T7

IXTA160N10T7 Littelfuse Inc.

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixta160n10t7_datasheet.pdf.pdf
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTA160N10T7 Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 430W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), Packaging: Tube.

Інші пропозиції IXTA160N10T7

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTA160N10T7 IXTA160N10T7 Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXTA160N10T7_Datasheet.PDF MOSFETs 160 Amps 100V 6.9 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.