IXTA180N10T IXYS
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO263; 72ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 72ns
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 439.39 грн |
| 10+ | 344.85 грн |
| 25+ | 275.05 грн |
| 50+ | 251.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA180N10T IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 480W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTA180N10T за ціною від 227.12 грн до 516.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTA180N10T | IXYS |
MOSFETs 180 Amps 100V 6.1 Rds |
на замовлення 1040 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IXTA180N10T |
|
Виробник: IXYS
MOSFETs 180 Amps 100V 6.1 Rds
MOSFETs 180 Amps 100V 6.1 Rds
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 516.26 грн |
| 10+ | 278.66 грн |
| 100+ | 227.12 грн |