Продукція > IXYS > IXTA180N10T
IXTA180N10T

IXTA180N10T IXYS

littelfuse-discrete-mosfets-ixt-180n10t-datasheet?assetguid=a45c8ae2-5c3f-4d3f-be24-0a3d6e97b45b Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
на замовлення 1583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+444.35 грн
50+228.94 грн
100+209.69 грн
500+165.16 грн
1000+163.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTA180N10T IXYS

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 480W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTA180N10T за ціною від 231.88 грн до 537.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTA180N10T IXTA180N10T Виробник : IXYS IXTA(P)180N10T.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO263; 72ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 72ns
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+447.56 грн
10+323.33 грн
25+251.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA180N10T IXTA180N10T Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXT_180N10T_Datasheet.PDF MOSFETs 180 Amps 100V 6.1 Rds
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+465.64 грн
10+231.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA180N10T IXTA180N10T Виробник : IXYS IXTA(P)180N10T.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO263; 72ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 72ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+537.07 грн
10+402.92 грн
25+302.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA180N10T IXTA180N10T Виробник : Littelfuse _mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_180n10t_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.