Продукція > IXYS > IXTA1N100P
IXTA1N100P

IXTA1N100P IXYS


littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1n100p_datasheet.pdf.pdf Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 1A TO263
на замовлення 52 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+197.88 грн
10+ 171.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTA1N100P IXYS

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1A; 50W; TO263; 750ns, Mounting: SMD, Case: TO263, Kind of package: tube, Power dissipation: 50W, Features of semiconductor devices: standard power mosfet, Kind of channel: enhanced, Reverse recovery time: 750ns, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 1A, On-state resistance: 15Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції IXTA1N100P за ціною від 114.83 грн до 202.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTA1N100P IXTA1N100P Виробник : IXYS media-3321082.pdf MOSFET 1 Amps 1000V 14 Rds
на замовлення 300 шт:
термін постачання 491-500 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+202.51 грн
10+ 166.6 грн
100+ 114.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA1N100P IXTA1N100P Виробник : Littelfuse rete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1n100p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA1N100P IXTA1N100P Виробник : IXYS IXTA(P,Y)1N100P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1A; 50W; TO263; 750ns
Mounting: SMD
Case: TO263
Kind of package: tube
Power dissipation: 50W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 750ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1A
On-state resistance: 15Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTA1N100P IXTA1N100P Виробник : IXYS IXTA(P,Y)1N100P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1A; 50W; TO263; 750ns
Mounting: SMD
Case: TO263
Kind of package: tube
Power dissipation: 50W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 750ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1A
On-state resistance: 15Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
товар відсутній