на замовлення 300 шт:
термін постачання 684-693 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 228.90 грн |
| 10+ | 173.56 грн |
| 100+ | 125.26 грн |
| 250+ | 106.40 грн |
| 500+ | 103.38 грн |
| 1000+ | 101.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA1N100P IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 1A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA, Supplier Device Package: TO-263AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 331 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTA1N100P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTA1N100P | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 1KV 1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |
|
 |
IXTA1N100P | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1A; 50W; TO263; 750ns Mounting: SMD Case: TO263 Polarisation: unipolar Reverse recovery time: 750ns Drain current: 1A On-state resistance: 15Ω Kind of channel: enhancement Power dissipation: 50W Features of semiconductor devices: standard power mosfet Drain-source voltage: 1kV Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
 |
IXTA1N100P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 1000V 1A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 331 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
|
|
IXTA1N100P | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1A; 50W; TO263; 750ns Mounting: SMD Case: TO263 Polarisation: unipolar Reverse recovery time: 750ns Drain current: 1A On-state resistance: 15Ω Kind of channel: enhancement Power dissipation: 50W Features of semiconductor devices: standard power mosfet Drain-source voltage: 1kV Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube |
товару немає в наявності |