Продукція > LITTELFUSE INC. > IXTA1N120P
IXTA1N120P

IXTA1N120P Littelfuse Inc.

IXTA1N120P%2C%20IXTP1N120P.pdf Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 1200V 1A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+398.45 грн
50+216.92 грн
100+200.05 грн
500+165.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTA1N120P Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 1200V 1A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 63W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA, Supplier Device Package: TO-263AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTA1N120P за ціною від 217.29 грн до 411.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTA1N120P IXTA1N120P Виробник : IXYS media-3321918.pdf MOSFETs 1 Amps 1200V 20 Rds
на замовлення 1686 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+411.51 грн
10+341.45 грн
50+252.26 грн
100+223.99 грн
250+218.78 грн
500+217.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N120P IXTA1N120P Виробник : Littelfuse rete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1n120p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N120P IXTA1N120P Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A28465095B933820&compId=IXTY(A%2CP)1N120P.pdf?ci_sign=8005f7217719a368d68d2e956d74381e1fc08bc0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 1A; 63W; TO263; 900ns
Case: TO263
Reverse recovery time: 900ns
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 1A
On-state resistance: 20Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N120P IXTA1N120P Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A28465095B933820&compId=IXTY(A%2CP)1N120P.pdf?ci_sign=8005f7217719a368d68d2e956d74381e1fc08bc0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 1A; 63W; TO263; 900ns
Case: TO263
Reverse recovery time: 900ns
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 1A
On-state resistance: 20Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.