IXTA1N170DHV IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 1700V 1A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 25 V
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1434.24 грн |
| 50+ | 1144.81 грн |
| 100+ | 1073.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA1N170DHV IXYS
Description: MOSFET N-CH 1700V 1A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 0V, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 290W (Tc), Supplier Device Package: TO-263HV, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTA1N170DHV за ціною від 956.95 грн до 1557.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTA1N170DHV | Виробник : IXYS |
MOSFET MSFT N-CH DEPL MODE-STD |
на замовлення 2457 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTA1N170DHV | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.7kV; 1A; 290W; TO263HV; 30ns Mounting: SMD Case: TO263HV Kind of package: tube Power dissipation: 290W Kind of channel: depleted Reverse recovery time: 30ns Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 1A On-state resistance: 16Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IXTA1N170DHV | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.7kV; 1A; 290W; TO263HV; 30ns Mounting: SMD Case: TO263HV Kind of package: tube Power dissipation: 290W Kind of channel: depleted Reverse recovery time: 30ns Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 1A On-state resistance: 16Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar |
товар відсутній |