Продукція > IXYS > IXTA1N170DHV
IXTA1N170DHV

IXTA1N170DHV IXYS

littelfuse-discrete-mosfets-ixt-1n170dhv-datasheet?assetguid=e3da0f54-331d-4535-9890-1500e65c4eb9 Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1700V 1A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 0V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 25 V
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1652.55 грн
50+962.30 грн
100+938.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTA1N170DHV IXYS

Description: MOSFET N-CH 1700V 1A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 0V, Power Dissipation (Max): 290W (Tc), Supplier Device Package: TO-263HV, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTA1N170DHV за ціною від 1138.55 грн до 1886.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTA1N170DHV IXTA1N170DHV Виробник : IXYS media-3323561.pdf MOSFETs TO263 1.7KV 1A N-CH DEPL
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 238-247 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1886.06 грн
10+1855.62 грн
25+1507.93 грн
50+1196.31 грн
100+1138.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N170DHV IXTA1N170DHV Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDD145E54D5820&compId=IXTA(H)1N170DHV.pdf?ci_sign=28dde988f0d317d0dd347e6a30f2aceb1f0422d5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.7kV; 1A; 290W; TO263HV; 30ns
Case: TO263HV
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 1A
Drain-source voltage: 1.7kV
Reverse recovery time: 30ns
On-state resistance: 16Ω
Power dissipation: 290W
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.