на замовлення 657 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 725.26 грн |
| 10+ | 714.05 грн |
| 50+ | 440.67 грн |
| 100+ | 400.95 грн |
| 250+ | 396.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA1N200P3HV IXYS
Description: MOSFET N-CH 2000V 1A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTA1N200P3HV за ціною від 357.71 грн до 798.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTA1N200P3HV | Виробник : Littelfuse Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 2000V 1A TO263Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 25 V |
на замовлення 2067 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXTA1N200P3HV | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 2KV 1A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IXTA1N200P3HV | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2kV; 1A; 125W; TO263HV; 2.3us Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 2kV Drain current: 1A Power dissipation: 125W Case: TO263HV On-state resistance: 40Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 2.3µs кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IXTA1N200P3HV | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2kV; 1A; 125W; TO263HV; 2.3us Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 2kV Drain current: 1A Power dissipation: 125W Case: TO263HV On-state resistance: 40Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 2.3µs |
товару немає в наявності |