на замовлення 657 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 745.43 грн |
| 10+ | 733.91 грн |
| 50+ | 452.93 грн |
| 100+ | 412.10 грн |
| 250+ | 407.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA1N200P3HV IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTA1N200P3HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 2 kV, 1 A, 40 ohm, TO-263HV, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-263HV, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 40ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції IXTA1N200P3HV за ціною від 367.66 грн до 820.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTA1N200P3HV | Виробник : LITTELFUSE |
 Description: LITTELFUSE - IXTA1N200P3HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 2 kV, 1 A, 40 ohm, TO-263HV, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 40ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 361 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTA1N200P3HV | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 2000V 1A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 25 V |
на замовлення 2067 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTA1N200P3HV | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 2KV 1A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IXTA1N200P3HV | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2kV; 1A; 125W; TO263HV; 2.3us Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Features of semiconductor devices: standard power mosfet Case: TO263HV Polarisation: unipolar Reverse recovery time: 2.3µs Drain current: 1A On-state resistance: 40Ω Power dissipation: 125W Drain-source voltage: 2kV кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IXTA1N200P3HV | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2kV; 1A; 125W; TO263HV; 2.3us Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Features of semiconductor devices: standard power mosfet Case: TO263HV Polarisation: unipolar Reverse recovery time: 2.3µs Drain current: 1A On-state resistance: 40Ω Power dissipation: 125W Drain-source voltage: 2kV |
товару немає в наявності |