Продукція > LITTELFUSE INC. > IXTA1N200P3HV
IXTA1N200P3HV

IXTA1N200P3HV Littelfuse Inc.

littelfuse-discrete-mosfets-ixt-1n200p3-datasheet?assetguid=4b665d05-b45e-49d5-b5cb-2feb07396528
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 2000V 1A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
на замовлення 2067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+778.96 грн
50+424.48 грн
100+386.44 грн
500+349.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTA1N200P3HV Littelfuse Inc.

Description: LITTELFUSE - IXTA1N200P3HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 2 kV, 1 A, 40 ohm, TO-263HV, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-263HV, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 40ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції IXTA1N200P3HV

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTA1N200P3HV IXTA1N200P3HV IXYS media-3320648.pdf MOSFETs 2000V/1A HV Power MOSFET, TO-263HV
на замовлення 657 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N200P3HV IXTA1N200P3HV LITTELFUSE LFSI-S-A0007924083-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXTA1N200P3HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 2 kV, 1 A, 40 ohm, TO-263HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 40ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N200P3HV media-3320648.pdf
IXTA1N200P3HV
Виробник: IXYS
MOSFETs 2000V/1A HV Power MOSFET, TO-263HV
на замовлення 657 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N200P3HV LFSI-S-A0007924083-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTA1N200P3HV
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTA1N200P3HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 2 kV, 1 A, 40 ohm, TO-263HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 40ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.