
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
58+ | 212.44 грн |
100+ | 174.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA1R6N100D2 Littelfuse
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 800mA, 0V, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Supplier Device Package: TO-263AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTA1R6N100D2 за ціною від 224.21 грн до 327.30 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTA1R6N100D2 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
IXTA1R6N100D2 | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 2499 шт: термін постачання 434-443 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
IXTA1R6N100D2 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||
IXTA1R6N100D2 | Виробник : IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||
![]() |
IXTA1R6N100D2 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||
|
IXTA1R6N100D2 | Виробник : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 800mA, 0V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |