Продукція > LITTELFUSE > IXTA1R6N100D2
IXTA1R6N100D2

IXTA1R6N100D2 Littelfuse

sfets_n-channel_depletion_mode_ixt_1r6n100_datasheet.pdf.pdf Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
58+211.93 грн
100+173.66 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTA1R6N100D2 Littelfuse

Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 800mA, 0V, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Supplier Device Package: TO-263AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTA1R6N100D2 за ціною від 221.13 грн до 322.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTA1R6N100D2 IXTA1R6N100D2 Виробник : Littelfuse sfets_n-channel_depletion_mode_ixt_1r6n100_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
300+280.20 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R6N100D2 IXTA1R6N100D2 Виробник : IXYS media-3322551.pdf MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 434-443 дні (днів)
Кількість Ціна
2+322.80 грн
50+221.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R6N100D2 IXTA1R6N100D2 Виробник : Littelfuse e_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_1r6n100_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R6N100D2 IXTA1R6N100D2 Виробник : IXYS IXTA(P,Y)1R6N100D2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO263; 11ns
Mounting: SMD
Drain current: 1.6A
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 645nC
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO263
Reverse recovery time: 11ns
Drain-source voltage: 1kV
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R6N100D2 IXTA1R6N100D2 Виробник : Littelfuse sfets_n-channel_depletion_mode_ixt_1r6n100_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R6N100D2 IXTA1R6N100D2 Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_1r6n100_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 800mA, 0V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R6N100D2 IXTA1R6N100D2 Виробник : IXYS IXTA(P,Y)1R6N100D2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO263; 11ns
Mounting: SMD
Drain current: 1.6A
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 645nC
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO263
Reverse recovery time: 11ns
Drain-source voltage: 1kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.