
IXTA1R6N100D2HV LITTELFUSE

Description: LITTELFUSE - IXTA1R6N100D2HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.6 A, 10 ohm, TO-263HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 425.81 грн |
10+ | 242.60 грн |
100+ | 240.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA1R6N100D2HV LITTELFUSE
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263HV, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 800mA, 0V, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-263HV, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 10 V.
Інші пропозиції IXTA1R6N100D2HV за ціною від 208.69 грн до 451.67 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTA1R6N100D2HV | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXTA1R6N100D2HV | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
IXTA1R6N100D2HV | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
![]() |
IXTA1R6N100D2HV | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO263 Mounting: SMD Case: TO263 Kind of package: tube Polarisation: unipolar Reverse recovery time: 970ns Gate charge: 27nC Drain current: 1.6A On-state resistance: 10Ω Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 100W Drain-source voltage: 1kV Kind of channel: depletion Type of transistor: N-MOSFET Technology: Polar™ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
IXTA1R6N100D2HV | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
IXTA1R6N100D2HV | Виробник : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 800mA, 0V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-263HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
IXTA1R6N100D2HV | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO263 Mounting: SMD Case: TO263 Kind of package: tube Polarisation: unipolar Reverse recovery time: 970ns Gate charge: 27nC Drain current: 1.6A On-state resistance: 10Ω Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 100W Drain-source voltage: 1kV Kind of channel: depletion Type of transistor: N-MOSFET Technology: Polar™ |
товару немає в наявності |