Продукція > LITTELFUSE > IXTA1R6N100D2HV
IXTA1R6N100D2HV

IXTA1R6N100D2HV Littelfuse

media.pdf
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+319.95 грн
100+303.72 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 50 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTA1R6N100D2HV Littelfuse

Description: LITTELFUSE - IXTA1R6N100D2HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.6 A, 10 ohm, TO-263HV, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 100W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-263HV, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm.

Інші пропозиції IXTA1R6N100D2HV за ціною від 200.26 грн до 550.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTA1R6N100D2HV IXTA1R6N100D2HV IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Depletion_Mode_IXTA1R6N100D2HV_Datasheet.PDF MOSFETs TO263 1KV 1A N-CH DEPL
на замовлення 300 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+526.64 грн
10+281.31 грн
100+223.75 грн
500+200.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R6N100D2HV IXTA1R6N100D2HV IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixta1r6n100d2hv-datasheet?assetguid=72c96f31-df09-45e8-9450-80791f14873c Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263HV
на замовлення 1902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+550.40 грн
10+358.20 грн
50+284.67 грн
100+244.94 грн
500+206.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R6N100D2HV IXTA1R6N100D2HV LITTELFUSE LFSI-S-A0009972202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXTA1R6N100D2HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.6 A, 10 ohm, TO-263HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 100W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R6N100D2HV Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Depletion_Mode_IXTA1R6N100D2HV_Datasheet.PDF
IXTA1R6N100D2HV
Виробник: IXYS
MOSFETs TO263 1KV 1A N-CH DEPL
на замовлення 300 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+526.64 грн
10+281.31 грн
100+223.75 грн
500+200.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R6N100D2HV littelfuse-discrete-mosfets-ixta1r6n100d2hv-datasheet?assetguid=72c96f31-df09-45e8-9450-80791f14873c
IXTA1R6N100D2HV
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263HV
на замовлення 1902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+550.40 грн
10+358.20 грн
50+284.67 грн
100+244.94 грн
500+206.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R6N100D2HV LFSI-S-A0009972202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTA1R6N100D2HV
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTA1R6N100D2HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.6 A, 10 ohm, TO-263HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 100W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.