IXTA1R6N100D2HV LITTELFUSE
Виробник: LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA1R6N100D2HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.6 A, 10 ohm, TO-263HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 419.05 грн |
| 10+ | 238.74 грн |
| 100+ | 237.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA1R6N100D2HV LITTELFUSE
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263HV, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 800mA, 0V, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-263HV, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 10 V.
Інші пропозиції IXTA1R6N100D2HV за ціною від 205.38 грн до 444.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTA1R6N100D2HV | Виробник : IXYS |
MOSFETs TO263 1KV 1A N-CH DEPL |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTA1R6N100D2HV | Виробник : Littelfuse |
High Voltage Depletion Mode MOSFET |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| IXTA1R6N100D2HV | Виробник : Littelfuse |
High Voltage Depletion Mode MOSFET |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| IXTA1R6N100D2HV | Виробник : IXYS |
IXTA1R6N100D2HV SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
IXTA1R6N100D2HV | Виробник : Littelfuse |
High Voltage Depletion Mode MOSFET |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IXTA1R6N100D2HV | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263HV Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 800mA, 0V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-263HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |