Продукція > IXYS > IXTA200N055T2
IXTA200N055T2

IXTA200N055T2 IXYS

Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXT-200N055T2-Datasheet.PDF?assetguid=B44D58FE-55F9-4C2C-B4B4-13EDAC81DC00
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 55V 200A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+411.60 грн
10+264.58 грн
50+208.20 грн
100+178.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTA200N055T2 IXYS

Description: MOSFET N-CH 55V 200A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 360W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTA200N055T2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTA200N055T2 IXTA200N055T2 IXYS media-3322416.pdf MOSFET 200 Amps 55V 0.0042 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA200N055T2 IXTA200N055T2 IXYS IXTA(P)200N055T2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 200A; 360W; TO263; 49ns
Mounting: SMD
Power dissipation: 360W
Gate charge: 109nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Drain current: 200A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 55V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO263
On-state resistance: 4.2mΩ
Reverse recovery time: 49ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA200N055T2 media-3322416.pdf
IXTA200N055T2
Виробник: IXYS
MOSFET 200 Amps 55V 0.0042 Rds
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA200N055T2 IXTA(P)200N055T2.pdf
IXTA200N055T2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 200A; 360W; TO263; 49ns
Mounting: SMD
Power dissipation: 360W
Gate charge: 109nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Drain current: 200A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 55V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO263
On-state resistance: 4.2mΩ
Reverse recovery time: 49ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.