Технічний опис IXTA220N04T2 Littelfuse
Description: MOSFET N-CH 40V 220A TO-263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 360W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263AA, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6820 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTA220N04T2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IXTA220N04T2 | Виробник : IXYS |
 IXTA220N04T2 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||
 |
IXTA220N04T2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 40V 220A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |
|
 |
IXTA220N04T2 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 40V 220A TO-263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 360W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6820 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
 |
IXTA220N04T2 | Виробник : IXYS |
MOSFET 220 Amps 40V 0.0035 Rds |
товару немає в наявності |