| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 338.79 грн |
| 100+ | 321.77 грн |
| 250+ | 318.58 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
50 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA24N65X2 Littelfuse
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO263AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 390W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTA24N65X2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTA24N65X2 | IXYS |
 Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO263AAPackaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 390W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IXTA24N65X2 | IXYS |
MOSFETs TO263 650V 24A N-CH X2CLASS |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IXTA24N65X2 | IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO263; 390ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 24A Power dissipation: 390W Case: TO263 On-state resistance: 0.145Ω Mounting: SMD Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 390ns Features of semiconductor devices: ultra junction x-class |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
IXTA24N65X2 | Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
IXTA24N65X2 | Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. |
| IXTA24N65X2 |
|
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXTA24N65X2 |
|
Виробник: IXYS
MOSFETs TO263 650V 24A N-CH X2CLASS
MOSFETs TO263 650V 24A N-CH X2CLASS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXTA24N65X2 |
|
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO263; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 390W
Case: TO263
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO263; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 390W
Case: TO263
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXTA24N65X2 |
|
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IXTA24N65X2 |
|
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.