IXTA24P085T IXYS
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 85V 24A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 271.22 грн |
| 50+ | 132.54 грн |
| 100+ | 120.04 грн |
| 500+ | 92.12 грн |
| 1000+ | 85.52 грн |
| 2000+ | 79.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA24P085T IXYS
Description: MOSFET P-CH 85V 24A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTA24P085T
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
IXTA24P085T | IXYS |
MOSFETs 24 Amps 85V 0.065 Rds |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXTA24P085T |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFETs 24 Amps 85V 0.065 Rds
MOSFETs 24 Amps 85V 0.065 Rds
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)


