IXTA260N055T2

IXTA260N055T2 Littelfuse Inc.



Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 55V 260A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTA260N055T2 Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 55V 260A TO263, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-263AA, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 480W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tube.

Інші пропозиції IXTA260N055T2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTA260N055T2 IXTA260N055T2 Виробник : IXYS media-3323566.pdf MOSFETs TO263 N CHAN 55V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.