IXTA26P10T

IXTA26P10T Littelfuse


fuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_26p10t_datasheet.pdf.pdf Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 100V 26A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTA26P10T Littelfuse

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -26A; 150W; TO263, Type of transistor: P-MOSFET, Technology: TrenchP™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -100V, Drain current: -26A, Power dissipation: 150W, Case: TO263, Gate-source voltage: ±15V, On-state resistance: 90mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 52nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Reverse recovery time: 70ns, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції IXTA26P10T

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTA26P10T IXTA26P10T Виробник : IXYS IXT_26P10T.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -26A; 150W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -26A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P10T IXTA26P10T Виробник : IXYS DS100291A(IXTA-TP-TY26P10T).pdf Description: MOSFET P-CH 100V 26A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P10T IXTA26P10T Виробник : IXYS media-3323709.pdf MOSFET TenchP Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P10T IXTA26P10T Виробник : IXYS IXT_26P10T.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -26A; 150W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -26A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.