Продукція > IXYS > IXTA26P20P-TRL
IXTA26P20P-TRL

IXTA26P20P-TRL IXYS

littelfuse-discrete-mosfets-ixt-26p20p-datasheet?assetguid=2195210b-d8e6-4e3f-b910-12b7e438e63a
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 200V 26A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V
на замовлення 16500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+268.75 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 800 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTA26P20P-TRL IXYS

Description: LITTELFUSE - IXTA26P20P-TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 26 A, 0.17 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PolarP Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm.

Інші пропозиції IXTA26P20P-TRL за ціною від 268.10 грн до 647.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTA26P20P-TRL IXTA26P20P-TRL Littelfuse ttelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_26p20p_datasheet.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+475.05 грн
300+449.71 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20P-TRL IXTA26P20P-TRL IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_26P20P_Datasheet.PDF MOSFETs IXTA26P20P TRL
на замовлення 3405 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+624.81 грн
10+338.33 грн
100+272.02 грн
500+268.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20P-TRL IXTA26P20P-TRL IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-26p20p-datasheet?assetguid=2195210b-d8e6-4e3f-b910-12b7e438e63a Description: MOSFET P-CH 200V 26A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V
на замовлення 16586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+647.80 грн
10+426.69 грн
50+342.35 грн
100+297.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20P-TRL IXTA26P20P-TRL LITTELFUSE 4598121.pdf Description: LITTELFUSE - IXTA26P20P-TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 26 A, 0.17 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20P-TRL IXTA26P20P-TRL LITTELFUSE 4598121.pdf Description: LITTELFUSE - IXTA26P20P-TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 26 A, 0.17 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20P-TRL ttelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_26p20p_datasheet.pdf
IXTA26P20P-TRL
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+475.05 грн
300+449.71 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20P-TRL Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_26P20P_Datasheet.PDF
IXTA26P20P-TRL
Виробник: IXYS
MOSFETs IXTA26P20P TRL
на замовлення 3405 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+624.81 грн
10+338.33 грн
100+272.02 грн
500+268.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20P-TRL littelfuse-discrete-mosfets-ixt-26p20p-datasheet?assetguid=2195210b-d8e6-4e3f-b910-12b7e438e63a
IXTA26P20P-TRL
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 200V 26A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V
на замовлення 16586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+647.80 грн
10+426.69 грн
50+342.35 грн
100+297.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20P-TRL 4598121.pdf
IXTA26P20P-TRL
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTA26P20P-TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 26 A, 0.17 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20P-TRL 4598121.pdf
IXTA26P20P-TRL
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTA26P20P-TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 26 A, 0.17 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.