Продукція > IXYS SEMICONDUCTOR > IXTA26P20P
IXTA26P20P

IXTA26P20P IXYS SEMICONDUCTOR

IX%28T%2CH%2CP%2CQ%29A26P20P.pdf Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA26P20P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 26 A, 0.17 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 26
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PolarP
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+584.54 грн
5+556.71 грн
10+527.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTA26P20P IXYS SEMICONDUCTOR

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA26P20P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 26 A, 0.17 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200, Dauer-Drainstrom Id: 26, hazardous: false, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 300, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300, Bauform - Transistor: TO-263AA, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: PolarP, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17, SVHC: No SVHC (16-Jan-2020).

Інші пропозиції IXTA26P20P за ціною від 232.69 грн до 691.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTA26P20P IXTA26P20P Виробник : IXYS IX%28T%2CH%2CP%2CQ%29A26P20P.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 26A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+600.90 грн
50+313.88 грн
100+288.44 грн
500+232.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20P IXTA26P20P Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_26P20P_Datasheet.PDF MOSFETs -26.0 Amps -200V 0.170 Rds
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+645.28 грн
10+366.36 грн
100+308.97 грн
500+288.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20P Виробник : IXYS IX%28T%2CH%2CP%2CQ%29A26P20P.pdf IXTA26P20P SMD P channel transistors
на замовлення 348 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+691.76 грн
3+418.22 грн
8+395.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20P
Код товару: 162385
Додати до обраних Обраний товар

IX%28T%2CH%2CP%2CQ%29A26P20P.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20P IXTA26P20P Виробник : Littelfuse fuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_26p20p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.