Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > IXTA26P20P

IXTA26P20P

media?resourcetype=datasheets&itemid=2195210B-D8E6-4E3F-B910-12B7E438E63A&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-26P20P-Datasheet.PDF
Код товару: 162385
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IXTA26P20P за ціною від 272.02 грн до 742.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTA26P20P IXTA26P20P Littelfuse ttelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_26p20p_datasheet.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+428.26 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20P IXTA26P20P Littelfuse ttelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_26p20p_datasheet.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+428.26 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20P IXTA26P20P IXYS IXT_26P20P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO263
Mounting: SMD
Case: TO263
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -200V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Reverse recovery time: 240ns
Power dissipation: 300W
Gate charge: 56nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarP™
Drain current: -26A
на замовлення 159 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+499.97 грн
3+393.89 грн
5+389.60 грн
7+372.44 грн
10+370.72 грн
25+357.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20P IXTA26P20P Ixys Corporation ttelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_26p20p_datasheet.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+646.68 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20P IXTA26P20P Littelfuse ttelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_26p20p_datasheet.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+653.09 грн
100+579.17 грн
250+526.40 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20P IXTA26P20P IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=2195210B-D8E6-4E3F-B910-12B7E438E63A&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-26P20P-Datasheet.PDF Description: MOSFET P-CH 200V 26A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V
на замовлення 6600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+698.57 грн
10+460.62 грн
50+369.98 грн
100+319.86 грн
500+272.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20P IXTA26P20P IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=2195210B-D8E6-4E3F-B910-12B7E438E63A&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-26P20P-Datasheet.PDF MOSFETs -26.0 Amps -200V 0.170 Rds
на замовлення 819 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+742.58 грн
10+405.78 грн
100+324.71 грн
500+312.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20P IXTA26P20P IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007924821-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA26P20P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 26 A, 0.17 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20P ttelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_26p20p_datasheet.pdf
IXTA26P20P
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+428.26 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20P ttelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_26p20p_datasheet.pdf
IXTA26P20P
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+428.26 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20P IXT_26P20P.pdf
IXTA26P20P
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO263
Mounting: SMD
Case: TO263
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -200V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Reverse recovery time: 240ns
Power dissipation: 300W
Gate charge: 56nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarP™
Drain current: -26A
на замовлення 159 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+499.97 грн
3+393.89 грн
5+389.60 грн
7+372.44 грн
10+370.72 грн
25+357.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20P ttelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_26p20p_datasheet.pdf
IXTA26P20P
Виробник: Ixys Corporation
Trans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+646.68 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20P ttelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_26p20p_datasheet.pdf
IXTA26P20P
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+653.09 грн
100+579.17 грн
250+526.40 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20P media?resourcetype=datasheets&itemid=2195210B-D8E6-4E3F-B910-12B7E438E63A&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-26P20P-Datasheet.PDF
IXTA26P20P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 200V 26A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V
на замовлення 6600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+698.57 грн
10+460.62 грн
50+369.98 грн
100+319.86 грн
500+272.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20P media?resourcetype=datasheets&itemid=2195210B-D8E6-4E3F-B910-12B7E438E63A&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-26P20P-Datasheet.PDF
IXTA26P20P
Виробник: IXYS
MOSFETs -26.0 Amps -200V 0.170 Rds
на замовлення 819 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+742.58 грн
10+405.78 грн
100+324.71 грн
500+312.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20P LFSI-S-A0007924821-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTA26P20P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA26P20P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 26 A, 0.17 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.