Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > IXTA26P20P

IXTA26P20P

IX%28T%2CH%2CP%2CQ%29A26P20P.pdf
Код товару: 162385
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IXTA26P20P за ціною від 249.37 грн до 673.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTA26P20P IXTA26P20P IXYS IXT_26P20P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -26A
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 240ns
On-state resistance: 0.17Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Case: TO263
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
на замовлення 338 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+516.89 грн
5+321.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20P IXTA26P20P IXYS IX%28T%2CH%2CP%2CQ%29A26P20P.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 26A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V
на замовлення 3448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+659.83 грн
50+349.42 грн
100+321.90 грн
500+256.90 грн
1000+249.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20P IXTA26P20P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_26P20P_Datasheet.PDF MOSFETs -26.0 Amps -200V 0.170 Rds
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+673.60 грн
10+364.74 грн
100+291.85 грн
500+289.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20P IXT_26P20P.pdf
IXTA26P20P
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -26A
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 240ns
On-state resistance: 0.17Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Case: TO263
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
на замовлення 338 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+516.89 грн
5+321.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20P IX%28T%2CH%2CP%2CQ%29A26P20P.pdf
IXTA26P20P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 200V 26A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V
на замовлення 3448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+659.83 грн
50+349.42 грн
100+321.90 грн
500+256.90 грн
1000+249.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P20P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_26P20P_Datasheet.PDF
IXTA26P20P
Виробник: IXYS
MOSFETs -26.0 Amps -200V 0.170 Rds
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+673.60 грн
10+364.74 грн
100+291.85 грн
500+289.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.