Інші пропозиції IXTA26P20P за ціною від 237.39 грн до 633.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTA26P20P | Виробник : IXYS |
 Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO263 Mounting: SMD Gate charge: 56nC Reverse recovery time: 240ns On-state resistance: 0.17Ω Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 300W Drain-source voltage: -200V Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Technology: PolarP™ Kind of package: tube Polarisation: unipolar Case: TO263 Drain current: -26A |
на замовлення 338 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTA26P20P | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA26P20P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 26 A, 0.17 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 26 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 300 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 300 Bauform - Transistor: TO-263AA Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PolarP Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17 SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTA26P20P | Виробник : IXYS |
MOSFETs -26.0 Amps -200V 0.170 Rds |
на замовлення 397 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTA26P20P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET P-CH 200V 26A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V |
на замовлення 3422 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|