IXTA28P065T IXYS
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -28A; 83W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -28A
Power dissipation: 83W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 31ns
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 339.78 грн |
| 8+ | 126.53 грн |
| 21+ | 119.14 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA28P065T IXYS
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -28A; 83W; TO263, Type of transistor: P-MOSFET, Technology: TrenchP™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -65V, Drain current: -28A, Power dissipation: 83W, Case: TO263, Gate-source voltage: ±15V, On-state resistance: 45mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 46nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Reverse recovery time: 31ns.
Інші пропозиції IXTA28P065T
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTA28P065T | IXYS |
Description: MOSFET P-CH 65V 28A TO-263 |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IXTA28P065T | IXYS |
MOSFETs 28 Amps 65V 0.045 Rds |
на замовлення 446 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXTA28P065T |
|
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 65V 28A TO-263
Description: MOSFET P-CH 65V 28A TO-263
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IXTA28P065T |
|
Виробник: IXYS
MOSFETs 28 Amps 65V 0.045 Rds
MOSFETs 28 Amps 65V 0.045 Rds
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)