IXTA2N100P IXYS
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 86W; TO263; 800ns
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO263
Reverse recovery time: 800ns
Power dissipation: 86W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Drain current: 2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 168.11 грн |
| 7+ | 156.22 грн |
| 10+ | 151.97 грн |
| 17+ | 147.73 грн |
| 50+ | 142.63 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Мінімальна партія:
3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA2N100P IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 86W; TO263; 800ns, Mounting: SMD, Kind of package: tube, Type of transistor: N-MOSFET, Case: TO263, Reverse recovery time: 800ns, Power dissipation: 86W, Polarisation: unipolar, Features of semiconductor devices: standard power mosfet, Drain current: 2A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 1kV.
Інші пропозиції IXTA2N100P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTA2N100P | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
IXTA2N100P | IXYS |
MOSFETs 2 Amps 1000V 7.5 Rds |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IXTA2N100P |
|
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263
Description: MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IXTA2N100P |
|
Виробник: IXYS
MOSFETs 2 Amps 1000V 7.5 Rds
MOSFETs 2 Amps 1000V 7.5 Rds
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.