
IXTA2N100P IXYS

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 86W; TO263; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 86W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 800ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 160.35 грн |
7+ | 144.63 грн |
18+ | 136.77 грн |
50+ | 135.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA2N100P IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 86W; TO263; 800ns, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 2A, Power dissipation: 86W, Case: TO263, Mounting: SMD, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Reverse recovery time: 800ns, Features of semiconductor devices: standard power mosfet, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXTA2N100P за ціною від 162.24 грн до 235.67 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTA2N100P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 86W; TO263; 800ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 2A Power dissipation: 86W Case: TO263 Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 800ns Features of semiconductor devices: standard power mosfet кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 293 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXTA2N100P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
IXTA2N100P | Виробник : IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
IXTA2N100P | Виробник : IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |