IXTA2N100P IXYS
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 86W; TO263; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 86W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 800ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 176.65 грн |
| 7+ | 152.00 грн |
| 17+ | 143.79 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Мінімальна партія:
3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA2N100P IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 86W; TO263; 800ns, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 2A, Power dissipation: 86W, Case: TO263, Mounting: SMD, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Reverse recovery time: 800ns, Features of semiconductor devices: standard power mosfet.
Інші пропозиції IXTA2N100P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
IXTA2N100P | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
|
IXTA2N100P | IXYS |
MOSFETs 2 Amps 1000V 7.5 Rds |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IXTA2N100P |
![]() |
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263
Description: MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IXTA2N100P |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFETs 2 Amps 1000V 7.5 Rds
MOSFETs 2 Amps 1000V 7.5 Rds
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.




