IXTA32P20T Littelfuse Inc.
Виробник: Littelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 200V 32A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 665.80 грн |
| 50+ | 435.81 грн |
| 100+ | 401.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA32P20T Littelfuse Inc.
Description: MOSFET P-CH 200V 32A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTA32P20T за ціною від 395.46 грн до 729.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTA32P20T | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTA32P20T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 32 A, 0.13 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm |
на замовлення 197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTA32P20T | Виробник : IXYS |
MOSFET TenchP Power MOSFET |
на замовлення 1370 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTA32P20T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 200V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| IXTA32P20T | Виробник : IXYS |
IXTA32P20T SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |