Продукція > IXYS > IXTA32P20T
IXTA32P20T

IXTA32P20T IXYS

Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-32P20T-Datasheet.PDF?assetguid=41EE09BF-5ADB-4340-95F0-9B4C12E513EA
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 200V 32A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+781.53 грн
50+422.04 грн
100+390.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTA32P20T IXYS

Description: LITTELFUSE - IXTA32P20T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 32 A, 0.13 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 300W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-263AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm.

Інші пропозиції IXTA32P20T за ціною від 402.39 грн до 827.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTA32P20T IXTA32P20T Littelfuse littelfusediscretemosfetspchannelixt32p20tdatasheet.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+826.69 грн
25+788.52 грн
50+756.79 грн
100+704.04 грн
250+631.66 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA32P20T IXTA32P20T IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_32P20T_Datasheet.PDF MOSFETs TenchP Power MOSFET
на замовлення 1824 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+827.74 грн
10+483.82 грн
100+402.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA32P20T IXTA32P20T LITTELFUSE LFSI-S-A0007925129-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXTA32P20T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 32 A, 0.13 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA32P20T littelfusediscretemosfetspchannelixt32p20tdatasheet.pdf
IXTA32P20T
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 200V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+826.69 грн
25+788.52 грн
50+756.79 грн
100+704.04 грн
250+631.66 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA32P20T Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_32P20T_Datasheet.PDF
IXTA32P20T
Виробник: IXYS
MOSFETs TenchP Power MOSFET
на замовлення 1824 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+827.74 грн
10+483.82 грн
100+402.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA32P20T LFSI-S-A0007925129-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTA32P20T
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTA32P20T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 32 A, 0.13 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.