IXTA32P20T

IXTA32P20T LITTELFUSE


Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-32P20T-Datasheet.PDF?assetguid=41EE09BF-5ADB-4340-95F0-9B4C12E513EA Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTA32P20T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 32 A, 0.13 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
на замовлення 197 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+694.04 грн
5+621.59 грн
10+558.19 грн
50+487.74 грн
100+421.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTA32P20T LITTELFUSE

Description: MOSFET P-CH 200V 32A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTA32P20T за ціною від 372.93 грн до 755.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTA32P20T IXTA32P20T Виробник : IXYS media-3320433.pdf MOSFET TenchP Power MOSFET
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+708.10 грн
10+595.02 грн
50+444.02 грн
100+403.65 грн
250+386.77 грн
500+383.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA32P20T IXTA32P20T Виробник : Littelfuse Inc. Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-32P20T-Datasheet.PDF?assetguid=41EE09BF-5ADB-4340-95F0-9B4C12E513EA Description: MOSFET P-CH 200V 32A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+755.79 грн
50+404.14 грн
100+372.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA32P20T IXTA32P20T Виробник : Littelfuse fuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_32p20t_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA32P20T Виробник : IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-32P20T-Datasheet.PDF?assetguid=41EE09BF-5ADB-4340-95F0-9B4C12E513EA IXTA32P20T SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.