IXTA36N30P


littelfuse-discrete-mosfets-ixt-36n30p-datasheet?assetguid=bf954b1e-fc82-433f-b03c-f41721f34fc0
Код товару: 52904
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IXTA36N30P за ціною від 160.62 грн до 381.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTA36N30P IXTA36N30P IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXT-36N30P-Datasheet.PDF MOSFETs MOSFET N-CH 300V 36A
на замовлення 1737 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+369.68 грн
10+189.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N30P IXTA36N30P Littelfuse Inc. littelfuse-discrete-mosfets-ixt-36n30p-datasheet?assetguid=bf954b1e-fc82-433f-b03c-f41721f34fc0 Description: MOSFET N-CH 300V 36A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+381.33 грн
50+193.52 грн
100+182.56 грн
500+160.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N30P Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXT-36N30P-Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
MOSFETs MOSFET N-CH 300V 36A
на замовлення 1737 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+369.68 грн
10+189.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N30P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-36n30p-datasheet?assetguid=bf954b1e-fc82-433f-b03c-f41721f34fc0
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 300V 36A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+381.33 грн
50+193.52 грн
100+182.56 грн
500+160.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.