на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 280.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA36P15P Littelfuse
Description: MOSFET P-CH 150V 36A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTA36P15P за ціною від 219.90 грн до 602.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXTA36P15P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET P-CH 150V 36A TO263Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V |
на замовлення 1242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXTA36P15P | Виробник : IXYS |
MOSFETs -36.0 Amps -150V 0.110 Rds |
на замовлення 648 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXTA36P15P | Виробник : IXYS |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -150V; -36A; 300W; TO263 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PolarP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -150V Drain current: -36A Power dissipation: 300W Case: TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 55nC Reverse recovery time: 228ns |
товару немає в наявності |


