Продукція > LITTELFUSE INC. > IXTA3N100D2-TRL
IXTA3N100D2-TRL

IXTA3N100D2-TRL Littelfuse Inc.


Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
FET Feature: Depletion Mode
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1.5A, 0V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTA3N100D2-TRL Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), FET Feature: Depletion Mode, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1.5A, 0V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції IXTA3N100D2-TRL

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTA3N100D2-TRL IXTA3N100D2-TRL IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Depletion_Mode_IXT_3N100_Datasheet.PDF MOSFETs IXTA3N100D2 TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2-TRL IXTA3N100D2-TRL IXYS Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 3A; 125W; D2PAK,TO263; 970ns
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 37.5nC
Reverse recovery time: 970ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2 TRL Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2-TRL Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2-TRL Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Depletion_Mode_IXT_3N100_Datasheet.PDF
IXTA3N100D2-TRL
Виробник: IXYS
MOSFETs IXTA3N100D2 TRL
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2-TRL
IXTA3N100D2-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 3A; 125W; D2PAK,TO263; 970ns
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 37.5nC
Reverse recovery time: 970ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2 TRL media.pdf
Виробник: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2-TRL media.pdf
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.