IXTA3N100D2 Littelfuse Inc.
Виробник: Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 1.5A, 0V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 500.68 грн |
| 50+ | 277.50 грн |
| 100+ | 256.91 грн |
| 500+ | 222.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA3N100D2 Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 1.5A, 0V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Supplier Device Package: TO-263AA, Part Status: Active, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTA3N100D2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTA3N100D2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |
|
| IXTA3N100D2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |
||
 |
IXTA3N100D2 | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO263; 17ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 3A Power dissipation: 125W Case: TO263 On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.02µC Kind of package: tube Kind of channel: depletion Reverse recovery time: 17ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
 |
IXTA3N100D2 | Виробник : IXYS |
MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A |
товару немає в наявності |
|
|
|
IXTA3N100D2 | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO263; 17ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 3A Power dissipation: 125W Case: TO263 On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.02µC Kind of package: tube Kind of channel: depletion Reverse recovery time: 17ns |
товару немає в наявності |