IXTA3N100D2

IXTA3N100D2 Littelfuse Inc.


littelfuse-discrete-mosfets-ixt-3n100-datasheet?assetguid=f0dbe4a2-4395-4958-a595-7cdc8d2662e1
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 1.5A, 0V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V
на замовлення 641 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+486.61 грн
50+269.70 грн
100+249.69 грн
500+216.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTA3N100D2 Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 1.5A, 0V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Supplier Device Package: TO-263AA, Part Status: Active, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTA3N100D2 за ціною від 265.65 грн до 629.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTA3N100D2 IXTA3N100D2 Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Depletion_Mode_IXT_3N100_Datasheet.PDF MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+629.58 грн
10+339.08 грн
100+270.51 грн
1000+265.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100D2 IXTA3N100D2 Виробник : IXYS IXTA(P)3N100D2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO263; 17ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO263
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Gate charge: 1.02µC
Reverse recovery time: 17ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.