| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 625.62 грн |
| 10+ | 410.57 грн |
| 50+ | 328.53 грн |
| 100+ | 283.58 грн |
| 500+ | 240.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA3N100D2 IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO263; 17ns, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 3A, Power dissipation: 125W, Case: TO263, On-state resistance: 6Ω, Mounting: SMD, Kind of package: tube, Kind of channel: depletion, Gate charge: 1.02µC, Reverse recovery time: 17ns.
Інші пропозиції IXTA3N100D2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTA3N100D2 | IXYS |
 MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A |
на замовлення 723 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXTA3N100D2 |
|
Виробник: IXYS
MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A
MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)