IXTA3N100D2 Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 1.5A, 0V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 494.99 грн |
50+ | 274.35 грн |
100+ | 253.99 грн |
500+ | 219.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA3N100D2 Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 1.5A, 0V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Supplier Device Package: TO-263AA, Part Status: Active, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTA3N100D2 за ціною від 244.25 грн до 514.98 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTA3N100D2 | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 266 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXTA3N100D2 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
IXTA3N100D2 | Виробник : IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |