| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 610.49 грн |
| 10+ | 399.39 грн |
| 50+ | 318.90 грн |
| 100+ | 274.97 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA3N100D2HV IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTA3N100D2HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 3 A, 6 ohm, TO-263HV, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 125W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263HV, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm.
Інші пропозиції IXTA3N100D2HV
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTA3N100D2HV | IXYS |
 MOSFETs TO263 1KV 3A N-CH DEPL |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXTA3N100D2HV |
|
Виробник: IXYS
MOSFETs TO263 1KV 3A N-CH DEPL
MOSFETs TO263 1KV 3A N-CH DEPL
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)