IXTA3N100D2HV LITTELFUSE
Виробник: LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA3N100D2HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 3 A, 6 ohm, TO-263HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125
Bauform - Transistor: TO-263HV
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 6
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 387.48 грн |
| 10+ | 348.74 грн |
| 100+ | 285.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA3N100D2HV LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTA3N100D2HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 3 A, 6 ohm, TO-263HV, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 125, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125, Bauform - Transistor: TO-263HV, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 6, Rds(on)-Prüfspannung: 0, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
Інші пропозиції IXTA3N100D2HV за ціною від 273.01 грн до 458.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTA3N100D2HV | Виробник : IXYS |
MOSFET MSFT N-CH DEPL MODE-D2 |
на замовлення 200 шт: термін постачання 392-401 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXTA3N100D2HV | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
IXTA3N100D2HV | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO263HV; 17ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 3A Power dissipation: 125W Case: TO263HV On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.02µC Kind of package: tube Kind of channel: depleted Reverse recovery time: 17ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
IXTA3N100D2HV | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
IXTA3N100D2HV | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263HV Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1.5A, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
IXTA3N100D2HV | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO263HV; 17ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 3A Power dissipation: 125W Case: TO263HV On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.02µC Kind of package: tube Kind of channel: depleted Reverse recovery time: 17ns |
товар відсутній |