Продукція > IXYS > IXTA3N100P-TRL
IXTA3N100P-TRL

IXTA3N100P-TRL IXYS

littelfuse-discrete-mosfets-ixt-3n100p-datasheet?assetguid=ec56a47a-d10f-43fa-8e9e-e6b982b889df
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTA3N100P-TRL IXYS

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 3A; 125W; D2PAK,TO263; 820ns, Mounting: SMD, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: 20V, Case: D2PAK; TO263, On-state resistance: 4.8Ω, Reverse recovery time: 820ns, Power dissipation: 125W, Gate charge: 36nC, Drain current: 3A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 1kV.

Інші пропозиції IXTA3N100P-TRL

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTA3N100P-TRL IXTA3N100P-TRL IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_3N100P_Datasheet.PDF MOSFETs IXTA3N100P TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100P-TRL IXTA3N100P-TRL IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-3n100p-datasheet?assetguid=ec56a47a-d10f-43fa-8e9e-e6b982b889df Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 3A; 125W; D2PAK,TO263; 820ns
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 4.8Ω
Reverse recovery time: 820ns
Power dissipation: 125W
Gate charge: 36nC
Drain current: 3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100P-TRL Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_3N100P_Datasheet.PDF
IXTA3N100P-TRL
Виробник: IXYS
MOSFETs IXTA3N100P TRL
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N100P-TRL littelfuse-discrete-mosfets-ixt-3n100p-datasheet?assetguid=ec56a47a-d10f-43fa-8e9e-e6b982b889df
IXTA3N100P-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 3A; 125W; D2PAK,TO263; 820ns
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 4.8Ω
Reverse recovery time: 820ns
Power dissipation: 125W
Gate charge: 36nC
Drain current: 3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.