Продукція > IXYS > IXTA3N120-TRL
IXTA3N120-TRL

IXTA3N120-TRL IXYS

littelfuse-discrete-mosfets-ixta3n120-datasheet?assetguid=0f8a2134-6aa0-4538-a4e2-9a575d3790e6
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+286.88 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTA3N120-TRL IXYS

Description: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTA3N120-TRL за ціною від 306.78 грн до 636.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTA3N120-TRL IXTA3N120-TRL Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXTA3N120_Datasheet.PDF MOSFETs IXTA3N120 TRL
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+635.93 грн
10+442.01 грн
100+348.71 грн
500+310.98 грн
800+306.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120-TRL IXTA3N120-TRL Виробник : IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixta3n120-datasheet?assetguid=0f8a2134-6aa0-4538-a4e2-9a575d3790e6 Description: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+636.02 грн
10+420.24 грн
100+338.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120-TRL IXTA3N120-TRL Виробник : Littelfuse crete_mosfets_n-channel_standard_ixth3n120_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120-TRL IXTA3N120-TRL Виробник : Littelfuse crete_mosfets_n-channel_standard_ixth3n120_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120TRL MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.