
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 657.58 грн |
50+ | 552.51 грн |
100+ | 429.47 грн |
250+ | 403.99 грн |
500+ | 378.51 грн |
5000+ | 329.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA3N120 IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA3N120 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 3 A, 4.5 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-263AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Інші пропозиції IXTA3N120 за ціною від 517.09 грн до 737.39 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTA3N120 | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
IXTA3N120 Код товару: 190833
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||
![]() |
IXTA3N120 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
IXTA3N120 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
IXTA3N120 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
IXTA3N120 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||
IXTA3N120 | Виробник : IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||
|
IXTA3N120 | Виробник : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |