IXTA3N150HV LITTELFUSE
Виробник: LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA3N150HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 3 A, 7.3 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.3ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 563.67 грн |
| 5+ | 538.91 грн |
| 10+ | 514.15 грн |
| 50+ | 453.67 грн |
| 100+ | 397.55 грн |
| 250+ | 376.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA3N150HV LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTA3N150HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 3 A, 7.3 ohm, TO-263, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.3ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції IXTA3N150HV за ціною від 455.13 грн до 888.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTA3N150HV | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO263; 900ns Case: TO263 Reverse recovery time: 900ns Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 3A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 250W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: standard power mosfet Gate charge: 38.6nC Kind of channel: enhancement Mounting: SMD |
на замовлення 72 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXTA3N150HV | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 1500V 3A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V |
на замовлення 265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IXTA3N150HV | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO263; 900ns Case: TO263 Reverse recovery time: 900ns Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 3A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 250W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: standard power mosfet Gate charge: 38.6nC Kind of channel: enhancement Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 72 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXTA3N150HV | Виробник : IXYS |
MOSFETs TO263 1.5KV 3A N-CH HIVOLT |
на замовлення 336 шт: термін постачання 434-443 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXTA3N150HV | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV |
товару немає в наявності |