Продукція > IXYS > IXTA3N150HV
IXTA3N150HV

IXTA3N150HV IXYS


IXTA3N150HV.pdf Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO263; 900ns
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 38.6nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 900ns
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 78 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+728.77 грн
2+ 483.66 грн
5+ 457.37 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTA3N150HV IXYS

Description: MOSFET N-CH 1500V 3A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3Ohm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTA3N150HV за ціною від 548.84 грн до 874.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTA3N150HV IXTA3N150HV Виробник : IXYS media-3323224.pdf MOSFET MSFT N-CH STD-HI VOLTAGE
на замовлення 336 шт:
термін постачання 473-482 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+774.97 грн
10+ 763.13 грн
IXTA3N150HV IXTA3N150HV Виробник : IXYS IXTA3N150HV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO263; 900ns
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 38.6nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 900ns
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 78 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+874.52 грн
2+ 602.72 грн
5+ 548.84 грн
IXTA3N150HV IXTA3N150HV Виробник : Littelfuse ete_mosfets_n-channel_standard_ixta3n150hv_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 1.5KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
товар відсутній
IXTA3N150HV IXTA3N150HV Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixta3n150hv_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 1500V 3A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V
товар відсутній