Інші пропозиції IXTA3N150HV за ціною від 285.87 грн до 1172.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTA3N150HV | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 1.5KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTA3N150HV | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO263; 900ns Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: standard power mosfet Type of transistor: N-MOSFET Case: TO263 Kind of package: tube Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 38.6nC Reverse recovery time: 900ns Power dissipation: 250W Drain current: 3A Drain-source voltage: 1.5kV |
на замовлення 53 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTA3N150HV | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTA3N150HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 3 A, 7.3 ohm, TO-263, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.3ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IXTA3N150HV | Виробник : Ixys Corporation |
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV |
на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IXTA3N150HV | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IXTA3N150HV | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 1500V 3A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IXTA3N150HV | Виробник : IXYS |
MOSFETs TO263 1.5KV 3A N-CH HIVOLT |
товару немає в наявності |