Продукція > IXYS > IXTA3N50D2-TRL
IXTA3N50D2-TRL

IXTA3N50D2-TRL IXYS


Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 3A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 25 V
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTA3N50D2-TRL IXYS

Description: MOSFET N-CH 500V 3A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 0V, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTA3N50D2-TRL

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTA3N50D2-TRL IXTA3N50D2-TRL Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N-Channel_Depletion_Mo-1622678.pdf MOSFET IXTA3N50D2 TRL
товар відсутній