на замовлення 533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 412.84 грн |
| 10+ | 335.03 грн |
| 100+ | 235.42 грн |
| 500+ | 210.40 грн |
| 1000+ | 194.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA3N50D2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 3A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 0V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Supplier Device Package: TO-263AA, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTA3N50D2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTA3N50D2 | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |
|
 |
IXTA3N50D2 | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3A; 125W; TO263; 24ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 3A Case: TO263 On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: depletion Power dissipation: 125W Gate charge: 1.07µC Reverse recovery time: 24ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
 |
IXTA3N50D2 | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 500V 3A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 0V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Supplier Device Package: TO-263AA Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
|
|
IXTA3N50D2 | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3A; 125W; TO263; 24ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 3A Case: TO263 On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: depletion Power dissipation: 125W Gate charge: 1.07µC Reverse recovery time: 24ns |
товару немає в наявності |