IXTA3N50D2 IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 3A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 25 V
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 328.59 грн |
| 10+ | 265.65 грн |
| 100+ | 214.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA3N50D2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 3A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 0V, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Supplier Device Package: TO-263AA, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTA3N50D2 за ціною від 186.26 грн до 359.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTA3N50D2 | Виробник : IXYS |
MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A |
на замовлення 495 шт: термін постачання 392-401 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTA3N50D2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IXTA3N50D2 | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3A; 125W; TO263; 24ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 3A Power dissipation: 125W Case: TO263 On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.07µC Kind of package: tube Kind of channel: depleted Reverse recovery time: 24ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IXTA3N50D2 | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3A; 125W; TO263; 24ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 3A Power dissipation: 125W Case: TO263 On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.07µC Kind of package: tube Kind of channel: depleted Reverse recovery time: 24ns |
товар відсутній |