Продукція > IXYS > IXTA460P2

IXTA460P2 IXYS

Name: IXTA460P2
Brand: IXYS
SKU: 148749-4
Price: 450.92 UAH
Availability: InStock

Виробник: IXYS
MOSFETs PolarP2 Power MOSFET

на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	450.92 грн
10+	404.55 грн
50+	341.21 грн
100+	301.20 грн
250+	289.13 грн
500+	281.58 грн
1000+	262.70 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IXTA460P2 IXYS

Description: MOSFET N-CH 500V 24A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 480W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTA460P2

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	IXTA460P2	Виробник : IXYS	Description: MOSFET N-CH 500V 24A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 480W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
	IXTA460P2	Виробник : IXYS	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 24A; 480W; TO263; 400ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 24A Power dissipation: 480W Case: TO263 On-state resistance: 0.27Ω Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 400ns	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.