на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2010.68 грн |
| 50+ | 1643.46 грн |
| 100+ | 1339.86 грн |
| 250+ | 1290.58 грн |
| 500+ | 1127.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA4N150HV IXYS
Description: MOSFET N-CH 1500V 4A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 280W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1576 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTA4N150HV
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTA4N150HV | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV |
товар відсутній |
|
 |
IXTA4N150HV | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV |
товар відсутній |
|
 |
IXTA4N150HV | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 4A; 280W; TO263; 900ns Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 4A On-state resistance: 6Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 280W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: standard power mosfet Gate charge: 44.5nC Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Case: TO263 Reverse recovery time: 900ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
IXTA4N150HV | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 1500V 4A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 280W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1576 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
|
|
IXTA4N150HV | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 4A; 280W; TO263; 900ns Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 4A On-state resistance: 6Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 280W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: standard power mosfet Gate charge: 44.5nC Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Case: TO263 Reverse recovery time: 900ns |
товар відсутній |