Продукція > IXYS > IXTA4N150HV
IXTA4N150HV

IXTA4N150HV IXYS


media-3322502.pdf Виробник: IXYS
MOSFETs TO263 150V 4A N-CH HIVOLT
на замовлення 284 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+952.12 грн
10+823.74 грн
100+621.62 грн
500+609.14 грн
1000+597.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTA4N150HV IXYS

Description: MOSFET N-CH 1500V 4A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 280W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1576 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTA4N150HV

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTA4N150HV IXTA4N150HV Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N150HV IXTA4N150HV Виробник : Littelfuse ete_mosfets_n-channel_standard_ixtt4n150hv_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N150HV Виробник : IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixta4n150hv-datasheet?assetguid=ba849f96-97bf-4690-9a95-fae4b36fe859 IXTA4N150HV SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N150HV IXTA4N150HV Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse-discrete-mosfets-ixta4n150hv-datasheet?assetguid=ba849f96-97bf-4690-9a95-fae4b36fe859 Description: MOSFET N-CH 1500V 4A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1576 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.