Продукція > IXYS > IXTA4N65X2
IXTA4N65X2

IXTA4N65X2 IXYS

IXT_4N65X2.pdf Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+135.13 грн
10+105.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTA4N65X2 IXYS

Description: MOSFET N-CH 650V 4A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 80W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTA4N65X2 за ціною від 68.94 грн до 250.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTA4N65X2 IXTA4N65X2 Виробник : IXYS IXT_4N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+162.16 грн
10+131.88 грн
15+75.29 грн
39+71.66 грн
500+70.75 грн
1000+68.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N65X2 IXTA4N65X2 Виробник : IXYS media-3322412.pdf MOSFETs TO263 650V 4A N-CH X2CLASS
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+250.60 грн
10+193.61 грн
100+132.80 грн
250+106.67 грн
500+104.50 грн
1000+98.69 грн
2500+95.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N65X2 IXTA4N65X2 Виробник : Littelfuse osfets_n-channel_ultra_junction_ixt_4n65x2_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N65X2 IXTA4N65X2 Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 Description: MOSFET N-CH 650V 4A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.