IXTA4N70X2 IXYS
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; Idm: 8A; 80W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 8A
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 149.54 грн |
| 9+ | 108.46 грн |
| 24+ | 102.70 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Мінімальна партія:
3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA4N70X2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 700V 4A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 80W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTA4N70X2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IXTA4N70X2 | Ixys Corporation |
IXTA4N70X2 |
на замовлення 38 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 28 шт В кошику од. на суму грн. |
| IXTA4N70X2 |
|
Виробник: Ixys Corporation
IXTA4N70X2
IXTA4N70X2
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)