IXTA50N20P IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 50A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 329.31 грн |
| 10+ | 266.42 грн |
| 100+ | 215.55 грн |
| 500+ | 179.81 грн |
| 1000+ | 153.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA50N20P IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 360W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTA50N20P за ціною від 199.62 грн до 357.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTA50N20P | Виробник : IXYS |
MOSFET 50 Amps 200V 0.06 Rds |
на замовлення 158 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTA50N20P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 200V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IXTA50N20P | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PolarHT™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 50A Power dissipation: 360W Case: TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 150ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IXTA50N20P | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PolarHT™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 50A Power dissipation: 360W Case: TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 150ns |
товар відсутній |